製造商產品編號:
TSM1NB60SCT B0G
Product Overview
製造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
零件編號:
TSM1NB60SCT B0G-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
详细描述:
N-Channel 600 V 500mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92
庫存:
12899688
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TSM1NB60SCT B0G 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Taiwan Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
500mA (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
138 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-92
包裝 / 外殼
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
TSM1NB60SCT B0GDKR
TSM1NB60SCT B0GDKRINACTIVE-DG
TSM1NB60SCT B0GTR-DG
TSM1NB60SCTB0GCTINACTIVE
TSM1NB60SCTB0G
TSM1NB60SCT B0GCT
TSM1NB60SCT B0GCTINACTIVE-DG
TSM1NB60SCT B0G-DG
TSM1NB60SCT B0GCT-DG
TSM1NB60SCT B0GDKR-DG
TSM1NB60SCTB0GDKRINACTIVE
TSM1NB60SCT B0GTR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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